IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPP80R1K2P7XKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.58 |
10+ | $1.418 |
100+ | $1.1397 |
500+ | $0.9364 |
1000+ | $0.7759 |
2000+ | $0.7224 |
5000+ | $0.6956 |
10000+ | $0.6778 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3 |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 37W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 500 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPP80R1 |
IPP80R1K2P7XKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPP80R1K2P7XKSA1 PDF - EN.pdf |
IPP80P04P4L-08 INFINEO
IPP80R600 - 800V COOLMOS N-CHANN
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
INFINEON TO-220
MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3
Infineon TO-220
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN
Infineon TO-220-3
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MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
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IPP80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN
IPP80P04P4L-04 INFINEON
MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3
MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3
2024/04/10
2024/05/10
2024/05/6
2024/04/14
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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